Hồi tháng trước, Samsung đã bị yêu cầu trả khoản tiền 538,6 triệu USD cho Apple do vi phạm một số bằng sáng chế liên quan tới thiết kế iPhone. Mới đây, Samsung lại dính vào một rắc rối mới do vi phạm bằng sáng chế về công nghệ FinFET của Viện Khoa học và Công nghệ Cao Hàn Quốc (Korea Advanced Institute of Science and Technology - KAIST IP US).

FinFet là một loại bóng bán dẫn có khả năng tăng hiệu suất và giảm tiêu thụ điện năng cho các loại chip nhỏ hơn. Trong bản khiếu kiện của mình, KAIST IP US cho biết Samsung đã không để mắt tới nghiên cứu FinFet.

Samsung cho rằng công nghệ FinFet chỉ mang tính nhất thời. Tuy nhiên, tất cả đã thay đổi khi công ty đối thủ của hãng này là Intel Corp bắt đầu phát triển một công nghệ tương tự, KAIST IP cho biết.

Thiệt hại mà Samsung gây ra đối với Viện Khoa học và Công nghệ Cao Hàn Quốc là 400 triệu USD. Tuy nhiên do cố ý vi phạm bằng sáng chế, tòa án có thể ra quyết định buộc Samsung phải trả gấp 3 lần thiệt hại, tương đương khoảng 1,2 tỷ USD.

Samsung nói với bồi thẩm đoàn rằng họ đã làm việc với KAIST IP US để cùng phát triển công nghệ này. Do đó, Samsung phủ nhận những cáo buộc về việc vi phạm bản quyền và cho rằng đây không phải là một bằng sáng chế hợp lệ.

Ngoài Samsung, hai công ty khác là Qualcomm và Global Foundries cũng bị phát hiện có hành vi vi phạm bản quyền với cùng một bằng sáng chế đó. Tuy nhiên, hai công ty này đã thoát khỏi vụ kiện và không bị yêu cầu phải bồi thường.

Tác giả: Tuấn Nghĩa

Nguồn tin: Báo Nghệ An